News

Innovationsforum zum neu-erforschten Halbleitermaterial, Bismuth-Eisen-Oxid (BFO)

Das Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf und das Fraunhofer ENAS Institut richten in Kooperation mit der engage AG am 21. & 22. November ein Innovationsforum aus. Das Thema ist ein neu-erforschtes Halbleitermaterial, Bismuth-Eisen-Oxid (BFO).

Zur Veranstaltung

Bismuteisenoxid (BFO) - Ein besonderes Material

Die Mikroelektronik und die damit verbundene Digitalisierung hat unsere Lebens- und Arbeitswelt verändert wie kaum ein andere Technologie zuvor. Wesentliche Treiber sind die Fortschritte bei der Hardware: Nach dem sog. Mooreschen Gesetz verdoppelt sich die Integrationsdichte auf Schaltkreisen ca. alle 18 Monate. Für zukünftige Entwicklungen wird das nicht mehr reichen. Hier sind unter dem Stichwort More-Than-Moore neue Materialien gefragt, welche die CMOS-Technologie perspektivisch ergänzen. Bismut-Eisen-Oxid (BiFeO³, BFO) ist ein solches Material mit sehr attraktiven Funktionalitäten.

Mehr Informationen