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X-FAB kündigt erste kosteneffiziente 180-Nanometer-SOI-Foundrytechnologie für Anwendungen im Automobilbereich an

X-FAB Silicon Foundries, die führende "More than Moore"-Foundry, kündigte heute die erste kosteneffiziente 180-Nanometer-SOI-Techologie der Branche für Automobil- und Industrietechnik-Anwendungen an. X-FABs neues Angebot an 40V- und 60V-Hochvolt-Schaltungselementen für die 180-Nanometer-SOI-Plattform XT018 ist leistungsstärker als Bulk-CMOS-Technologien leistungsmäßig bei einer gleichzeitigen Kostenersparnis von bis zu 30 Prozent. Die XT018-Technologie beinhaltet einen umfassenden Designsupport, wodurch weniger Entwicklungszyklen benötigt und auf Anhieb funktionierende Schaltungsentwürfe ermöglicht werden. Die Technologie erlaubt außerdem die wettbewerbsfähige Implementierung von Automobilschaltkreisen der nächsten Generation und verkürzt die Markteinführungszeiten.



Dank der neuen Schaltungselemente ist der XT018-Prozess ideal für hochmoderne Anwendungen im Automobilbereich, wie monolithische Motorregler und physikalische Schnittstellen (PHY) einschließlich diskreter oder integrierter LIN/CAN-Transceiver.

Volker Herbig, Leiter Produktmarketing bei X-FAB, erläutert die Bedeutung der neuen XT018-Technologie: "Bisher galten SOI-Lösungen als eher exotisch und sehr teuer. Bei unserer XT018-Technologie dagegen werden die zusätzlichen Kosten des SOI Materials durch eine kleinere Chipgröße, bessere Leistungsmerkmale und ein vereinfachtes Design ausgeglichen. Damit können unsere Kunden Schaltungen entwickeln, die auf Anhieb funktionieren."
 
Die XT018-Plattform ist speziell für Anwendungen der nächsten Generation in den Bereichen Automobil, Industrie und Medizin konzipiert, mit Betriebsspannungen bis 200V und Betriebstemperaturen bis 175°C. X-FABs modulare 180-Nanometer-Hochvolt-SOI-CMOS-Technologie XT018 vereint die Vorteile von SOI-Wafern mit tiefer Trenchisolation (DTI) mit denen von hochmodernen 180-Nanometer-Bulk-CMOS-Prozessen mit sechs Metalllagen. Der Einsatz von SOI-Wafern als Ausgangsmaterial, kombiniert mit Trenchisolation anstelle der im CMOS-Bereich eher üblichen Sperrschichtisolation, vereinfacht das Entwicklungskonzept. Dank der SOI-Wafer entstehen keine parasitären bipolaren Effekte zum Substrat, was das Latch-Up-Risiko reduziert. Die SOI-Wafer erlauben außerdem die Entwicklung von Schaltungselementen wie vollständig isolierten Dioden zur Implementierung von Verpolungsschutz – dieser ist mit Bulk-CMOS- oder BCD-Technologien nur schwer zu realisieren.
 
Das Herzstück des neuen Angebots ist ein 40V-NMOS-Transistor mit dem industrieweit geringsten Einschaltwiderstand von 26 mO-mm². Hinzu kommen robuste 40V- und 60V-Schaltungselemente mit verbesserter ESD-Festigkeit sowie passende PMOS- und Verarmungstransistoren.
 
Herbig fügte hinzu: "Aufgrund der extrem hohen Anforderungen – wie zum Beispiel des neuesten CAN-Standards und der strengeren Spezifikationen zur EMC- und ESD-Festigkeit –  wird die Entwicklung von Schaltkreisen für die Automobilindustrie immer mehr zur Herausforderung. X-FABs XT018-Technologie ermöglicht es den Entwicklern, diese Herausforderung zu meistern."
 
Mit der neuen XT018-SOI-Technologie lassen sich deutlich kompaktere Entwürfe realisieren als mit der herkömmlichen Sperrschichtisolation. Sie erlaubt platzsparende laterale Isolation zwischen Schaltungsblöcken gegen Übersprechen, zum Beispiel für Ausgangstreiber und Messeingänge. Die einfache Integration von isolierten Schaltungselementen verkürzt den Entwicklungszyklus, so dass selbst für komplexe System-on-Chip-Lösungen, die die Hochvoltanforderungen der Automobilindustrie erfüllen müssen, auf Anhieb funktionierende Schaltungsentwürfe machbar werden.
 
Verfügbarkeit
Die verbesserte XT018-Foundryplattform steht ab sofort zur Verfügung, inklusive voller PDK-Unterstützung für alle wichtigen EDA-Anbieter, umfangreicher Charakterisierung und Modellierung der Schaltungselemente sowie umfassender analoger, digitaler und Speicher-IP. Zusätzliche neue Schaltungselemente wie Verarmungstransistoren, Zener-Dioden, Hochleistungsbipolartransistoren und ein 200V-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) sind ebenfalls einsatzbereit.
 
Über X-FAB

Die X-FAB-Gruppe ist die führende analog/mixed-signal und MEMS-Foundry und fertigt im Kundenauftrag Siliziumwafer für Anwendungen aus dem Automobil-, Industrie-, Medizintechnik- und Konsumgüterbereich. Kunden weltweit profitieren von den höchsten Qualitätsstandards, exzellenter Fertigung und innovativen Lösungen basierend auf modularen CMOS-Prozessen in Geometrien von 1,0 bis 0,18 Mikrometern, sowie speziellen BCD-, SOI- und MEMS-Technologien. Die analog-digital integrierten Schaltkreise (mixed-signal ICs), Sensoren und MEMS-Bauelemente werden in fünf Waferfabriken in Deutschland, Malaysia und den USA gefertigt. X-FAB beschäftigt rund 2.500 Mitarbeiter weltweit.
 
Abkürzungen
BCD                Bipolar-CMOS-DMOS
CAN                Controller Area Network
CMOS             Komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter
DTI                  Deep Trench Isolation (tiefe Grabenisolation)
EDA                Entwurfsautomatisierung elektronischer Systeme
EMC                Elektromagnetische Verträglichkeit
ESD                 Elektrostatische Entladung
ICs                  Integrierte Schaltkreise
IP                     Intellectual Property
LIN                  Local Interconnect Network
MEMS              Mikroelektromechanische Systeme
NMOS             n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter
PDK                 Prozess-Designkit
PMOS              p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter
SOI                  Silicon on Insulator

Weiterführende Links

www.xfab.com