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Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente: Vorteile, Gerätekonzepte und Herausforderungen in der Fertigung

Heben Sie Ihre Karriere auf die nächste Stufe und melden Sie sich für eine neue Webinar-Reihe bei Infineon an. Erhalten Sie einzigartige Einblicke in zukunftsweisende Technologien und erfahren Sie mehr über die Materialien SiC und GaN, Unit Process Development und Silicon Carbide Power Devices. Verpassen Sie nicht spannende Diskussionen über die neuesten Errungenschaften in der Technologie. Besuchen Sie uns einmal im Monat um 16 Uhr MESZ. Sie können wählen, ob Sie nur an einem Webinar oder an der gesamten Serie teilnehmen möchten.

Thema:

SiC bietet aufgrund der größeren Bandlücke, des kritischen Feldes und der Wärmeleitfähigkeit überlegene Materialeigenschaften für Leistungs-MOSFETs. Das Webinar gibt einen Einblick in die wichtigsten Vorteile von SiC-basierten Bauelementen und informiert über die wichtigsten prozesstechnischen Unterschiede und Herausforderungen modernster SiC-Leistungs-MOSFETs.

Referent: Gerald Rescher | Staff Engineer SiC Technologieentwicklung

In seinem Arbeitsgebiet konzentriert er sich auf die Technologieentwicklung von Wide-Bandgap-Leistungsbauelementen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), die in Hochleistungsanwendungen wie Traktion, Solarkonvertern, Elektrofahrzeugen usw. eingesetzt werden.

Ihre Vorteile:

• Erhalten Sie Einblicke in SiC-basierte MOSFETs-Gerätekonzepte
• Erfahren Sie mehr über die wichtigsten Unterschiede in der Prozesstechnologie

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